Samsung vừa lần đầu tiên công bố mô hình vật lý của dòng bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ tám HBM5 tại Triển lãm Computex 2026 diễn ra ở Đài Bắc, Đài Loan. Động thái này nhằm khẳng định mục tiêu dẫn dắt thị trường chip nhớ dành cho trí tuệ nhân tạo (AI) thế hệ tiếp theo của hãng công nghệ Hàn Quốc.
Phát biểu tại sự kiện, ông Song Jai-hyuk, Giám đốc Công nghệ mảng Giải pháp Thiết bị của Samsung, nhận định để đáp ứng sự thay đổi nhanh chóng của ngành công nghiệp AI, doanh nghiệp cần sở hữu năng lực cạnh tranh toàn diện, từ chip nhớ, đúc chip, chip logic cho đến các giải pháp đóng gói tiên tiến.
Điểm nhấn trong đợt chuyển giao công nghệ lần này của Samsung là cấu trúc khối đường dẫn nhiệt HPB. Đây là giải pháp quản lý nhiệt cốt lõi giúp kiểm soát xu hướng quá nhiệt của bộ nhớ AI hiệu suất cao khi vận hành. Bằng cách tạo ra một đường truyền nhiệt độc lập giữa các tấm đĩa bán dẫn (die), công nghệ này giúp hạ thấp trở kháng nhiệt và tối ưu hóa hiệu suất tản nhiệt của hệ thống.
Lãnh đạo Samsung ví cơ chế này giống như việc bổ sung một ống dẫn nhiệt dạng ống khói để giải nhiệt hiệu quả hơn. Giải pháp này đóng vai trò then chốt trong việc duy trì hiệu năng của bộ nhớ HBM, đồng thời tăng hiệu suất hệ thống trong các môi trường AI mật độ cao, băng thông lớn sắp tới.
Theo lộ trình, Samsung dự kiến ứng dụng tấm đĩa nền sản xuất trên tiến trình 2 nanomet do chính mảng đúc chip của hãng đảm nhiệm lên dòng HBM5. Chiến lược này giúp hãng tối ưu hóa lợi thế bằng cách kết hợp thế mạnh của cả mảng chip nhớ lẫn mảng bán dẫn hệ thống. Hiện tại, công nghệ tản nhiệt HPB đã được thử nghiệm thành công trên các sản phẩm thử nghiệm thuộc thế hệ HBM4E trước khi áp dụng đồng loạt từ dòng HBM5.
Song song với việc giới thiệu HBM5, gian hàng của Samsung cũng trưng bày các tấm wafer và chipset thuộc dòng HBM4E vừa được xuất xưởng các mẫu thử nghiệm đầu tiên trong ngành vào tháng trước.
Thế hệ HBM4E là sự kết hợp giữa lõi DRAM tiến trình 1c tiên tiến cùng tấm đĩa nền xây dựng trên tiến trình đúc chip 4 nanomet của Samsung. Dòng sản phẩm này hỗ trợ tốc độ truyền tải lên tới 16 Gbps trên mỗi chân cắm, cho phép cung cấp băng thông vượt mức 4 TB mỗi giây. Giới phân tích nhận định việc liên tiếp công bố các giải pháp từ HBM4E đến HBM5 cho thấy Samsung đang đẩy nhanh tiến độ nhằm giành lợi thế trên thị trường chip nhớ AI toàn cầu.
