Mới nhất
Xem thêm

Doanh số Galaxy Z Fold 8 tăng vọt sau sự cố màn hình của iPhone Duo

Thị phần chip Exynos chạm mốc 8% giữa giai đoạn thị trường vi xử lý lao dốc

Samsung cập nhật Bixby tiếng Việt đầy đủ cho Smart TV

Samsung ra mắt zHBM với tốc độ xử lý AI vượt trội gấp 8 lần HBM5

Samsung vừa chính thức mở ra bước ngoặt mới cho ngành bán dẫn tại sự kiện FMS 2026 khi trình làng zHBM, kiến trúc bộ nhớ 3D đặt trực tiếp lên đỉnh chip xử lý AI nhằm phá vỡ giới hạn truyền dữ liệu hiện tại.

Tại triển lãm Flash Memory Summit (FMS) 2026 ở California (Mỹ), gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc trở thành tâm điểm khi trình làng mô hình hai kiến trúc bộ nhớ thế hệ mới: zHBM và zNAND-O. Khác hoàn toàn với chuẩn HBM truyền thống vốn đặt bộ nhớ nằm ngang cạnh vi xử lý trên cùng một mặt phẳng, zHBM tạo nên sự khác biệt khi xếp chồng thẳng bộ nhớ lên phía trên bộ gia tốc AI.

Sự thay đổi về mặt không gian này rút ngắn quãng đường di chuyển của dữ liệu giữa bộ nhớ và vi xử lý về mức gần như bằng không. Trong bối cảnh các mô hình AI ngày càng phình to khiến hệ thống bị nghẽn băng thông, cách làm của Samsung giúp dòng chảy dữ liệu mượt mà hơn đáng kể. Theo công bố, zHBM mang lại hiệu năng trên mỗi chip đồ họa cao gấp 8 lần so với chuẩn HBM5 chưa ra mắt, đồng thời tăng gấp 3 lần hiệu suất năng lượng và giảm hơn một nửa lượng nhiệt tỏa ra.

Công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo được Samsung giới thiệu tại ‘FMS 2026’. Ảnh: Samsung Electronics

Đáng chú ý, Samsung tận dụng thế mạnh tự chủ từ khâu làm bộ nhớ, gia công chip đến đóng gói để mang lại khả năng tùy biến cao. Hãng cho phép các đối tác chèn thêm các thiết kế riêng vào lớp giao tiếp giữa bộ nhớ và vi xử lý, giúp mỗi khách hàng tự “may đo” dung lượng cũng như sức mạnh cho hệ thống AI của mình.

Ở mảng bộ nhớ lưu trữ, ông lớn xứ kim chi cũng đưa công nghệ xếp chồng 3D lên dòng NAND Flash với giải pháp zNAND-O. Nhờ nén từ 4 đến 8 lớp chip vào một gói duy nhất, zNAND-O tối ưu độ trễ và tăng tốc độ phản hồi, trở thành mảnh ghép đắt giá cho các thiết bị thông minh xử lý AI ngay trên máy mà không cần gửi dữ liệu về máy chủ.

Mô hình thử nghiệm của bộ nhớ trong zNAND-O của Samsung. Ảnh: Samsung Electronics

Cũng tại sự kiện, tuyên bố cán mốc hơn 400 tầng xếp chồng trên thế hệ V-NAND thứ 10 (V10 BV-NAND) tiếp tục khẳng định vị thế dẫn đầu của hãng về mặt kỹ thuật. Bộ ba công nghệ mới không chỉ giúp Samsung gia tăng sức cạnh tranh mà còn sẵn sàng thâu tóm nguồn cầu khổng lồ từ các trung tâm dữ liệu AI trên toàn cầu trong thời gian tới.

Bài liên quan

Samsung phả hơi nóng vào ngôi vương chip nhớ HBM của SK hynix

Samsung tạo sức ép lớn lên vị trí số một của SK hynix khi thu hẹp đáng kể khoảng cách thị phần chỉ sau một…

Samsung trở thành hãng công nghệ đầu tiên trên thế giới lãi 80 tỷ USD một quý

Cơn khát chip nhớ máy chủ và HBM4 phục vụ AI đã đưa lợi nhuận của Samsung chạm mốc kỷ lục. Samsung Electronics vừa công…
Shopee Mall

Ốp Lưng Cao Cấp Nillkin Cho Samsung S26 Ultra S26 FE S26 + S25 / S24 / S23 / S22 Ultra S25 FE Vỏ Bảo Vệ Camera

Shopee Mall

Kính Cường Lực SmartDevil Cho Samsung S26Ultra / S26 + / S26 / S25Ultra / S25 / S24ultra / S23 + / S22 Phim Chống Trộm Full Màn Hình

Bài trước

Rò rỉ banner One UI 9.5, hé lộ định hướng giao diện mới của Samsung

Bài tiếp theo

Spider-Man bỏ Sony Xperia sang Samsung Galaxy khiến người hâm mộ tranh cãi

Ý kiến của bạn

Để lại một bình luận

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *