Samsung vừa chính thức mở ra bước ngoặt mới cho ngành bán dẫn tại sự kiện FMS 2026 khi trình làng zHBM, kiến trúc bộ nhớ 3D đặt trực tiếp lên đỉnh chip xử lý AI nhằm phá vỡ giới hạn truyền dữ liệu hiện tại.
Tại triển lãm Flash Memory Summit (FMS) 2026 ở California (Mỹ), gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc trở thành tâm điểm khi trình làng mô hình hai kiến trúc bộ nhớ thế hệ mới: zHBM và zNAND-O. Khác hoàn toàn với chuẩn HBM truyền thống vốn đặt bộ nhớ nằm ngang cạnh vi xử lý trên cùng một mặt phẳng, zHBM tạo nên sự khác biệt khi xếp chồng thẳng bộ nhớ lên phía trên bộ gia tốc AI.
Sự thay đổi về mặt không gian này rút ngắn quãng đường di chuyển của dữ liệu giữa bộ nhớ và vi xử lý về mức gần như bằng không. Trong bối cảnh các mô hình AI ngày càng phình to khiến hệ thống bị nghẽn băng thông, cách làm của Samsung giúp dòng chảy dữ liệu mượt mà hơn đáng kể. Theo công bố, zHBM mang lại hiệu năng trên mỗi chip đồ họa cao gấp 8 lần so với chuẩn HBM5 chưa ra mắt, đồng thời tăng gấp 3 lần hiệu suất năng lượng và giảm hơn một nửa lượng nhiệt tỏa ra.
Đáng chú ý, Samsung tận dụng thế mạnh tự chủ từ khâu làm bộ nhớ, gia công chip đến đóng gói để mang lại khả năng tùy biến cao. Hãng cho phép các đối tác chèn thêm các thiết kế riêng vào lớp giao tiếp giữa bộ nhớ và vi xử lý, giúp mỗi khách hàng tự “may đo” dung lượng cũng như sức mạnh cho hệ thống AI của mình.
Ở mảng bộ nhớ lưu trữ, ông lớn xứ kim chi cũng đưa công nghệ xếp chồng 3D lên dòng NAND Flash với giải pháp zNAND-O. Nhờ nén từ 4 đến 8 lớp chip vào một gói duy nhất, zNAND-O tối ưu độ trễ và tăng tốc độ phản hồi, trở thành mảnh ghép đắt giá cho các thiết bị thông minh xử lý AI ngay trên máy mà không cần gửi dữ liệu về máy chủ.
Cũng tại sự kiện, tuyên bố cán mốc hơn 400 tầng xếp chồng trên thế hệ V-NAND thứ 10 (V10 BV-NAND) tiếp tục khẳng định vị thế dẫn đầu của hãng về mặt kỹ thuật. Bộ ba công nghệ mới không chỉ giúp Samsung gia tăng sức cạnh tranh mà còn sẵn sàng thâu tóm nguồn cầu khổng lồ từ các trung tâm dữ liệu AI trên toàn cầu trong thời gian tới.
