Stellar Semiconductor Technologies vừa đệ đơn kiện Samsung cùng chi nhánh tại Mỹ lên Tòa án Liên bang Đông Texas, cáo buộc hãng vi phạm 6 bằng sáng chế thiết kế vi mạch trên các dòng vi xử lý Exynos và Snapdragon.
Hành động tố tụng này nhắm thẳng vào quy trình gia công chip từ 3nm đến 7nm của Samsung Foundry. Nguyên đơn khẳng định hãng tự ý áp dụng các giải pháp kết nối đường dẫn kim loại, bố trí lớp cách điện và kỹ thuật phân chia mạch nhằm kiểm soát dòng điện bên trong vi xử lý.
Điểm đáng chú ý nằm ở danh sách vi xử lý bị gọi tên. Bên cạnh hai con chip tầm trung tự phát triển Exynos 1280 và Exynos 1380, vụ kiện kéo theo cả Snapdragon 888 cùng Snapdragon 8 Gen 1 – những vi xử lý do Qualcomm thiết kế nhưng giao Samsung gia công. Chuỗi thiết bị ảnh hưởng trải dài từ thế hệ Galaxy S10 đến Galaxy S26, bao gồm cả các dòng máy màn hình gập Fold, Flip và máy tính bảng Galaxy Tab.
Phía nguyên đơn củng cố hồ sơ bằng loạt chứng cứ hình ảnh thu được từ kính hiển vi điện tử quét (SEM) và phổ tán sắc năng lượng (EDS). Stellar Semiconductor Technologies yêu cầu tòa án buộc Samsung bồi thường thiệt hại, gánh toàn bộ chi phí tố tụng, đồng thời đề nghị áp mức phạt gấp 3 lần nếu xác định hãng cố tình vi phạm kể từ thời điểm nhận đơn kiện.
Vụ kiện xuất hiện ngay thời điểm mảng sản xuất chip của hãng vừa chớm nhích lại doanh thu. Áp lực từ nguy cơ bồi thường cùng chi phí theo đuổi tố tụng kéo dài tại Mỹ đe doạ trực tiếp đến biên lợi nhuận, đồng thời tạo thêm rào cản lớn khi Samsung nỗ lực giành giật hợp đồng gia công với TSMC.
